সব পণ্য
-
উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ক্যাপাসিটর
-
উচ্চ ভোল্টেজ Doorknob ক্যাপাসিটর
-
উচ্চ ভোল্টেজ ফিল্ম ক্যাপাসিটর
-
লাইভ লাইন ক্যাপাসিটার
-
ঢেউ প্রতিরক্ষামূলক ডিভাইস
-
উচ্চ ভোল্টেজ ভ্যাকুয়াম সার্কিট ব্রেকার
-
সুইচগিয়ার তাপমাত্রা সেন্সর
-
ভোল্টেজ ইন্সট্রুমেন্ট ট্রান্সফরমার
-
ক্যাপাসিটিভ ভোল্টেজ ডিটেক্টর
-
ক্যাপাসিটিভ ভোল্টেজ বিভাজক
-
ক্যাপাসিটিভ ইনসুলেটর
-
MOV মেটাল অক্সাইড Varistor
-
পিটিসি এনটিসি থার্মিস্টর
-
উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধক
-
রিচার্ড“XIWUER খুবই উদ্ভাবনী। তারা চমৎকার, স্বজ্ঞাত পরিষেবা প্রদান করেছে, ভবিষ্যতের দিকে তাকিয়ে আমাদের কী প্রয়োজন হতে পারে।”
-
মাইক"আমাদের কঠোর প্রক্রিয়াকরণের প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করার জন্য বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন ডিজাইন করার জন্য XIWUER এর উত্সর্গ আমাদের বছরের গবেষণা এবং উন্নয়নের একটি প্রমাণ।"
-
বিবাহ করা"XIWUER এর চিত্তাকর্ষক গবেষণা ক্ষমতা রয়েছে এবং ভাল প্রোটোটাইপিং ক্ষমতা এবং উচ্চ পণ্যের গুণমান প্রদর্শন করে।"
ব্যক্তি যোগাযোগ :
Wang Hong
Low Dissipation High Voltage Doorknob Capacitor with High Withstanding Voltage and Insulation Resistance for RF Power Supply

বিনামূল্যে নমুনা এবং কুপন জন্য আমার সাথে যোগাযোগ করুন.
হোয়াটসঅ্যাপ:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
স্কাইপ: sales10@aixton.com
যদি আপনার কোন উদ্বেগ থাকে, আমরা 24-ঘন্টা অনলাইন সহায়তা প্রদান করি।
xপণ্যের বিবরণ
বিশেষভাবে তুলে ধরা | Low Dissipation High Voltage Doorknob Capacitor,High Withstanding Voltage RF Power Supply Capacitor,High Insulation Resistance HV Doorknob Capacitor |
---|
পণ্যের বর্ণনা
High Voltage Doorknob Capacitors for RF Power Supply
Technical Specifications
No. | Specification | Dissipation | Withstanding Voltage | Insulation Resistance | Dimensions (mm) |
---|---|---|---|---|---|
1 | 20kV-2000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
2 | 20kV-10000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:65 | H:15 | L:19 | D:12 | M:5 |
3 | 20kV-18000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:80 | H:17 | L:25 | D:12 | M:5 |
4 | 30kV-1000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:45 | H:24 | L:32 | D:12 | M:4 |
5 | 30kV-2700pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:60 | H:20 | L:28 | D:12 | M:4 |
6 | 30kV-12000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
7 | 40kV-150pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:74 | H:18 | L:26 | D:12 | M:5 |
8 | 40kV-500pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:28 | H:33 | L:41 | D:8 | M:4 |
9 | 40kV-7500pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:80 | H:24 | L:29 | D:12 | M:6 |
10 | 40kV-10000pF | ≤0.0040 | 1.5Ur● 1min | ≥1.0 x 105MΩ | D:80 | H:22 | L:26 | D:16 | M:5 |
Application in PECVD Equipment
Our high-voltage doorknob capacitors provide stable high voltage for Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) equipment, essential for semiconductor, photovoltaic, and optical coating industries. These capacitors enable low-temperature deposition of high-quality thin films by maintaining stable, uniform plasma through efficient RF power supply performance.
Technical Challenges Addressed
- Impedance Matching: Efficient power coupling to dynamically changing plasma loads
- High RF Power Handling: Withstands electrical stresses from high frequency and voltage
- Thermal Management: Minimizes heat accumulation from dielectric and electrode losses
- Long-term Stability: Prevents capacitance drift that affects deposition rate and film quality
Solution: High-Q, Low-ESR Doorknob Capacitors
- Efficient Power Transfer: Low ESR minimizes heat generation with high RF currents
- Thermal Stability: Temperature-compensated ceramic dielectric maintains stable capacitance
- High Reliability: Rugged construction ensures long service life in demanding RF conditions
Customer Benefits
- Improved film quality and consistency through stable impedance matching
- Increased productivity and yield with reduced process interruptions
- Lower operating costs from reduced energy consumption and maintenance
Our high-voltage doorknob capacitors serve as the "impedance harmonizer" for PECVD equipment, enabling precise atomic-level deposition for superior thin film production.
প্রস্তাবিত পণ্য